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0.1 ~ 0.5GHz 51dB 250W VHF RF Amplificador De Potência Para Projetos De Pesquisa Que Exigem Alta Potência, Baixa Frequência

Local de origem: China
Marca: SWT
Número do modelo: SW-PA-100500-51C
Preço:
Detalhes do Produto
Nome:
Amplificador De Potência RF De 0.1 ~ 0.5GHz
Frequência de funcionamento:
0, 1 ~0, 5GHz
Psat Output Power:
250W
Ganho:
51dBm
Entrada Vswr:
Planeza do Ganho de Potência:
±2dB
Sinais Spurious:
-60dBc
Sinais harmônicos:
- 15dBc.
Temperatura de funcionamento:
-40~80°c
Aplicação:
EMC Test,Communications, Radar System
Pacote "Transportes":
Cartonagem
Especificação:
360*200*100mm
Condições de Pagamento e Envio
Quantidade mínima de encomenda
1/pcs
Detalhes da embalagem
Embalagem padrão
Tempo de entrega
5-8 dias úteis
Condições de pagamento
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de fornecimento
100 pcs por mês
Descrição do produto

Amplificador De Potência VHF RF De 0.1 ~ 0.5GHz 51dB 250W Para Projetos De Pesquisa Que Exigem Amplificação RF De Alta Potência, Baixa Frequência

 

Descrição

O Amplificador De Potência RF Psat 51 DBm De 0,1 ~ 0,5 GHz é Um Amplificador De Alto Desempenho Projetado Para Uma Ampla Gama De Aplicações RF. Este Amplificador é Ideal Para Sistemas De Comunicação, Radiodifusão, Radar, Teste E Medição E Outras Aplicações Que Exigem Saída De Potência Robusta E Excelente Linearidade.

Principais Características:

  1. Ampla Faixa De FrequênciaFunciona Em Uma Faixa De Frequência De 0,1 GHz A 0,5 GHz, Tornando-o Adequado Para Várias Aplicações.

  2. Alta Potência De Saída: Fornece Uma Potência De Saída Saturada (Psat) De 51 DBm, Equivalente A 250 Watts.

  3. Ganho Alto: Oferece Um Ganho De 51 DB, Garantindo Que Sinais De Entrada Fracos Sejam Amplificados Para Níveis De Saída De Alta Potência.

  4. Figura De Baixo Ruído: Garante A Introdução Mínima De Ruído, Mantendo A Integridade Alta Do Sinal.

  5. Design Robusto: Construído Com Materiais Duráveis E Alojado Em Um Gabinete Robusto Para Suportar Condições Operacionais Adversas.

  6. Refrigeração Eficiente: Equipado Com Um Sistema De Refrigeração Para Manter Temperaturas Operacionais Ideais, Garantindo Desempenho Confiável.

  7. Características De Protecção: Inclui Proteção Embutida Contra Sobretemperatura, Sobretensão E Condições De Sobrecorrente Para Proteger O Amplificador.

  8. Desempenho Linear: Fornece Excelente Linearidade, Reduzindo A Distorção E Preservando A Qualidade Do Sinal Amplificado.

Aplicações:

  1. Sistemas De Comunicação: Aumenta A Força Do Sinal Para Vários Sistemas De Comunicação, Incluindo Rádios VHF/UHF.

  2. Radiodifusão: Adequado Para FM, VHF, E Outras Aplicações De Radiodifusão, Garantindo A Transmissão Clara E Forte Do Sinal.

  3. Sistemas De Radar: Fornece Amplificação De Alta Potência Para Transmissores De Radar, Melhorando A Detecção E Alcance Do Alvo.

  4. Ensaio E Medição: Essencial Para Testes De RF E Medição Em Ambientes De Laboratório E Campo.

  5. Investigação Científica: Ideal Para Projetos De Pesquisa Que Exigem Amplificação RF De Alta Potência E Baixa Frequência.

Vantagens:

  • Versatilidade: Adequado Para Uma Ampla Gama De Frequências E Aplicações, Oferecendo Flexibilidade Na Implantação.

  • Alta Confiabilidade: Construído Para Um Desempenho Confiável Em Condições Exigentes Com Construção Robusta E Recursos De Proteção.

  • Facilidade De Integração: Projetado Para Fácil Integração Em Sistemas Existentes Com Interfaces De RF Padrão E Opções De Controle.

Especificação

Especificações Sujeitas A Alterações Sem Aviso Prévio. Desempenho Típico Em +28VDC +25℃, E Em Um Sistema De 50Ω.

ELECTRICAL SPECIFICATIONS@25℃
PARÂMETROMINTÍPICOMÁXIMOUNIDADE
Faixa De FrequênciaZero Ponto Um
Zero Ponto CincoGHz
Ganho De PotênciaCinquenta E Um

DB
Planeza Do Ganho De Potência
±2
DB
Potência PsatDuzentos E Cinquenta

Watt
Spurious

-60DBc
HarmoniasQuinze

DBc
VSWR


Razão
Fonte De Alimentação CC
+28
Volt
Corrente
Cinco
A

 

RATAÇÕES AMBIENTAIS
PARÂMETROMINTÍPICOMÁXIMOUNIDADE
Potência Máxima De Entrada


DBm
Temperatura De Funcionamento-40
+80℃
Temperatura Não Operacional-55
+125℃
Humidade Relativa (sem Condensação)
Noventa E Cinco
%
Altitude (MIL-STD-810F)
TBD
Pés
Choque / Vibração (MIL-STD-810F)
TBD

 

ESPECIFICAÇÕES MECÂNICAS
PARÂMETROVALORLIMITESUNIDADE
Dimensões360*200*100MÁXIMOMilímetro
PesoQuinzeMÁXIMOKg
Entrada De Conectores RFSMA-F

Saída Dos Conectores RFN-F

ImpedânciaCinquenta
Ohms


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Nanjing Shinewave Technology Co., Ltd..é criada no ano de 2008,e S uma empresa especializada na pesquisa e desenvolvimento, produção e vendas de RF microondas ativo, componentes passivos e subsistemas. Com base na equipe de pesquisa acadêmica da Universidade de Nanjing de Aeronáutica e Astronáutica, nossa empresa estabeleceu uma equipe inovadora de pesquisa e desenvolvimento com talentos de doutor e mestrado, e constantemente atrai talentos proeminentes na indústria e estudantes proeminentes de universidades famosas para expandir a equipe.

Nossa empresa tem cerca de 20 patentes de invenção autorizadas na antena reconfigurável ativa, passiva do comutador de fase do dispositivo, etc. Os campos de aplicação estão relacionados a contramedidas eletrônicas de radar, aeroespacial, navegação e outros campos militares. Ao mesmo tempo, também é amplamente utilizado em comunicação de microondas, comunicação móvel e outros produtos do mercado civil, cobrindo componentes e antenas de dispositivos de microondas RF, entre os quais, produtos ativos incluem amplificador de potência de microondas de estado sólido de alta potência, módulo transceptor de amplificador de baixo ruído, conversor de frequência para cima e para baixo, fonte de frequência, etc. Os produtos passivos incluem filtro de microondas, divisor de potência duplexador, acoplador, sintetizador de potência, etc. Os produtos de antena são baseados principalmente em várias antenas de chifre de alto ganho, que cobre VHF, UHF, L-banda, S-banda, C-banda, X-banda, Ku banda e assim por diante.

Nossa  empresa está localizada na bela capital antiga de seis dinastias,  em Nanjing Yuhuatai District Big Data Industrial Base. Para atender às necessidades especiais dos clientes e requisitos de índice mais elevados, além dos produtos padrão, também fornecemos aos clientes métodos de desenvolvimento de produtos personalizados, dedicados a fornecer aos clientes produtos e serviços rápidos e de alta qualidade.

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1.As nossas vantagens 

Contando com a equipe de pesquisa acadêmica de universidades famosas, a empresa estabeleceu uma equipe inovadora de pesquisa e desenvolvimento com doutorado e mestrado' s talentos de graduação, e continua a absorver excelentes talentos na indústria e estudantes proeminentes de universidades famosas para fortalecer a equipe. A empresa possui cerca de vinte patentes de invenção autorizadas em dispositivos de microondas, circuitos e antenas. O campo de aplicação envolve radar, contramedidas eletrônicas, aeroespacial e aviação. 

2.Sobre a Personalização 

Nós podemos personalizar de acordo com o cliente' s requisitos, basta dizer-nos a frequência, ganho, poder. 

3.Sobre o Tempo de Entrega

Os produtos personalizados são normalmente 4-6 semanas, se em estoque 1-2 semanas podem ser enviados. 

4.Como a qualidade é garantida 

1)Controle de qualidade: Testando rigorosamente matérias-primas e o processo de produção para atender aos padrões. 

2)Testes de desempenho: realização de testes ambientais e de funcionalidade para verificar a saída de potência e outras métricas-chave. 

3)Garantia e suporte: Fornecer um período de garantia e suporte técnico para resolver problemas durante o uso. 

4)Auditorias de fábrica: Realizando regularmente auditorias de qualidade internas e de terceiros. 

5.Método de entrega 

Se você tem seu próprio remetente de frete, nós podemos enviar para o seu remetente de frete designado, se não, nós podemos escolher a maneira mais conveniente de entrega, tais como DHL, Fedex, frete aéreo, frete marítimo. 

6.Método de pagamento 

L/C, D/A, D/P, T/T, Western union, Moneygram, Paypal, Alipay, Banco.


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Nanjing Shinewave Technology Co., Ltd. foi fundada em 2008, é um profissional envolvido no amplificador de potência de microondas RF, dispositivos ativos, dispositivos passivos e subsistemas pesquisa e desenvolvimento, produção e vendas da empresa.

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